出晶圓級封裝、板級封裝及嵌入技術(shù)：高性能計(jì)算（HPC）和系統(tǒng)級封裝（SiP）

目錄
中文版序
譯者序
原書致謝
原書前言
第1章 扇出晶圓級和板級封裝的市場和技術(shù)趨勢
1.1 扇出封裝簡介
1.1.1 歷史背景
1.1.2 關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力：為什么是扇出封裝
1.1.3 扇出晶圓級封裝（FO-WLP）與扇出板級封裝（FO-PLP）
1.1.4 面向異構(gòu)集成的扇出封裝發(fā)展趨勢
1.2 市場概況和應(yīng)用
1.2.1扇出封裝定義
1.2.2 市場劃分：Core FO、HD FO 和 UHD FO的對比
1.2.3 市場價(jià)值：收入和銷量預(yù)測
1.2.4 當(dāng)前和未來的目標(biāo)市場
1.2.5 扇出封裝的應(yīng)用
1.3 技術(shù)趨勢和供應(yīng)鏈
1.3.1 扇出封裝技術(shù)路線圖
1.3.2 制造商的扇出封裝技術(shù)
1.3.3 供應(yīng)鏈概述
1.3.4 當(dāng)前的供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)分析
1.4扇出板級封裝(FO-PLP)
1.4.1 FO-PLP的驅(qū)動(dòng)力和面臨的挑戰(zhàn)
1.4.2 FO-PLP的市場和應(yīng)用
1.4.3 FO-PLP供應(yīng)商概述
1.5系統(tǒng)設(shè)備拆解
1.5.1 帶有扇出封裝的終端系統(tǒng)拆解圖
1.5.2 雷達(dá)IC：eWLB與RCP
1.5.3 成本比較
1.6結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章FO-WLP（扇出型晶圓級封裝技術(shù)）與其它技術(shù)的成本比較
2.1簡介
2.2基于活動(dòng)的成本模型
2.3 FO-WLP變化的成本分析
2.3.1工藝段的成本
2.3.2 FO-WLP的不同工藝種類
2.4 FO-WLP與引線鍵合和倒裝芯片的成本比較
2.5堆疊式封裝(PoP)的成本分析
2.6結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第3章 扇出集成（InFO）技術(shù)在移動(dòng)計(jì)算上的應(yīng)用
3.1 引言
3.2晶圓級扇入封裝
3.2.1介電層和再分布層（RDL）
3.2.2 凸點(diǎn)下金屬化 (UBM)
3.2.3 可靠性與挑戰(zhàn)
3.2.4 大芯片WLP
3.3晶圓級扇出系統(tǒng)集成
3.3.1 芯片先置與芯片后置
3.3.2 塑封與平坦化
3.3.3 再分布層（RDL）
3.3.4 通孔與垂直互連
3.4 集成無源元件（IPD）
3.4.1 高Q值的三維螺線圈電感
3.4.2 天線集成封裝（AiP）和5G通信
3.4.3 用于毫米波系統(tǒng)集成的無源元件
3.5 功率、性能、外形尺寸和成本
3.5.1 信號和電源完整性
3.5.2 散熱和熱性能
3.5.3 外形和厚度
3.5.4 市場和周期成本
3.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 集成扇出 （InFO） 在高性能計(jì)算中的應(yīng)用
4.1 引言
4.2 3D封裝和片上集成系統(tǒng)（SoIC）
4.3 CoWoS-R, CoWoS-S和CoWoS-L
4.4 InFO-L 和 InFO-R
4.5 超高密度互連的InFO封裝（InFO-UHD）
4.6多堆疊系統(tǒng)集成 （MUST） 和Must-in-Must（MiM）
4.7 板載InFO技術(shù)(InFO-oS)和局部硅互連InFO技術(shù)(InFO-L)
4.8 板載存儲芯片的InFO 技術(shù)(InFO-MS)
4.9 3D多硅InFO (InFO-3DMS) and CoWoS-L
4.10 晶圓上InFO系統(tǒng) (InFO_SoW)
4.11 集成板上系統(tǒng)（SoIS）
4.12 沉浸式內(nèi)存計(jì)算（ImMC）
4.13本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 用于高密度集成的自適應(yīng)圖形和M-系列技術(shù)
5.1 技術(shù)描述
5.2 應(yīng)用與市場
5.3基本封裝結(jié)構(gòu)
5.4 制造工藝流程和物料清單
5.5設(shè)計(jì)特性和系統(tǒng)集成能力
5.6 自適應(yīng)圖形
5.7制造幅面和可擴(kuò)展性
5.8 封裝性能
5.9 魯棒性和可靠性數(shù)據(jù)
5.10 電測試注意事項(xiàng)
5.11本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 基于面板級封裝的異構(gòu)集成
6.1引言
6.2扇出板級封裝
6.3 板級封裝的經(jīng)濟(jì)效益分析
6.4本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 面向高功率模塊及SiP模塊的新一代芯片嵌入技術(shù)
7.1 技術(shù)背景
7.2封裝基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)
7.3應(yīng)用與市場（HPC、SiP）
7.4制造工藝和BOM
7.5設(shè)計(jì)特點(diǎn)
7.6系統(tǒng)集成能力
7.7封裝性能
7.8 魯棒性與可靠性數(shù)據(jù)
7.9電測試的考慮因素
7.10 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章 先進(jìn)基板上的芯片集成技術(shù)(包括嵌入和空腔)
8.1 引言
8.2通過使用嵌入式芯片封裝(ECP?)實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成
8.3 嵌入工藝
8.4 器件選擇
8.5 設(shè)計(jì)技術(shù)
8.6 測試
8.7 ECP技術(shù)的應(yīng)用
8.8 利用PCB中的空腔進(jìn)行異構(gòu)集成
8.9 封裝性能、穩(wěn)健性和可靠性
8.10 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第9章 先進(jìn)的嵌入式布線基板—— 一種靈活的扇出晶圓級封裝的替代方案
9.1 技術(shù)介紹
9.1.1 C2iM技術(shù)
9.1.2 C2iM-PLP技術(shù)
9.2應(yīng)用和市場
9.3封裝的基本結(jié)構(gòu)
9.3.1 C2iM-PLP技術(shù)經(jīng)驗(yàn)
9.3.2 C2iM-PLP與引線鍵合方形扁平無引腳（WB-QFN）封裝和倒裝芯片QFN（FC-QFN）封裝相比的優(yōu)缺點(diǎn)
9.3.3 C2iM-PLP與WLP和FO-WLP相比的優(yōu)缺點(diǎn)
9.3.4 未來的應(yīng)用
9.3.5 C2iM-PLP的局限性
9.4 制造工藝流程及物料清單
9.5 設(shè)計(jì)規(guī)范
9.5.1 封裝設(shè)計(jì)規(guī)范
9.5.2 芯片UBM設(shè)計(jì)規(guī)范
9.5.3 芯片排列設(shè)計(jì)規(guī)范
9.5.4 銅柱設(shè)計(jì)規(guī)范
9.6 系統(tǒng)集成能力
9.7 生產(chǎn)規(guī)格和可拓展性
9.8 封裝性能
9.8.1 電性能
9.8.2 熱性能
9.9 魯棒性和可靠性數(shù)據(jù)
9.9.1 通過汽車可靠性認(rèn)證
9.9.2 通過板級可靠性驗(yàn)證
9.10 電測試的思考
9.11 本章小結(jié)
第10章 采用扇出晶圓級封裝的柔性混合電子
10.1引言
10.2封裝的最新發(fā)展趨勢
10.3?使用FO-WLP的FHE——FlexTrateTM
10.4?FlexTrateTM的應(yīng)用
致謝
參考文獻(xiàn)
第11章 基于2.5D和3D異構(gòu)集成的多芯片集成電路技術(shù)：電和熱設(shè)計(jì)考量及案例
11.1引言
11.2 異構(gòu)互連拼接技術(shù)（HIST）
11.3 基于橋芯片2.5D集成技術(shù)的熱評估
11.3.1 2.5D和3D的典型架構(gòu)
11.3.2 熱建模和性能
11.3.3 不同2.5D集成方案的熱性能對比
11.3.4 2.5D和3D集成之間的熱性能對比
11.3.5 基于橋接芯片2.5D集成的熱研究
11.3.6 多片式3D集成
11.4 高功率