硅基半導(dǎo)體應(yīng)變理論與生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)

　　硅基半導(dǎo)體應(yīng)變技術(shù)是21世紀(jì)延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。根據(jù)IRDS（國(guó)際設(shè)備和系統(tǒng)路線圖）對(duì)DRAM技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的預(yù)測(cè)， 在今后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)， 硅基半導(dǎo)體應(yīng)變技術(shù)仍然是提升半導(dǎo)體器件與電路遷移率和高場(chǎng)傳輸特性的可持續(xù)改進(jìn)關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)共分為9章， 主要內(nèi)容包括硅基半導(dǎo)體應(yīng)變理論與技術(shù)、硅基半導(dǎo)體應(yīng)變能帶理論與空間群、應(yīng)變鍺能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算、硅基半導(dǎo)體應(yīng)變彈塑性力學(xué)理論、臨界帶隙應(yīng)變Ge1-xSnx合金能帶特性與遷移率計(jì)算、硅基半導(dǎo)體應(yīng)變材料的RPCVD計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)模擬、硅基半導(dǎo)體應(yīng)變材料CVD生長(zhǎng)機(jī)理與生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型、硅基半導(dǎo)體應(yīng)變材料的缺陷形成機(jī)理與控制方法、硅基半導(dǎo)體應(yīng)變材料的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)與制備實(shí)驗(yàn)等。本書(shū)主要面向硅基半導(dǎo)體應(yīng)變理論與技術(shù)領(lǐng)域的研究者， 同時(shí)也可作為本科微電子科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)和研究生微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)相關(guān)課程的教學(xué)參考書(shū)。

暫缺《硅基半導(dǎo)體應(yīng)變理論與生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)》作者簡(jiǎn)介