氮化鎵半導體材料及器件

　　以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結(jié)合的方式對氮化物半導體材料及器件進行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)別。全書共8章，包括緒論、氮化物材料基本特性及外延生長技術(shù)、新型氮化物異質(zhì)結(jié)的設(shè)計及制備、氮化物材料的測試表征技術(shù)、氮化物藍光LED材料與器件、氮化物紫外和深紫外LED材料與器件、氮化鎵基二極管、氮化鎵基三極管。本書可作為微電子器件領(lǐng)域本科生和研究生的入門參考資料，也可供相關(guān)領(lǐng)域的科研和研發(fā)人員參考。

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